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专为纯电动汽车平台设计的800V碳化硅高压逆变器

来源:乐鱼体育直播在线    发布时间:2024-03-23 06:34:49

  据报道,博格华纳推出800V碳化硅(SiC),专为纯电动汽车(BEV)平台设计,以扩大其与全球主要OEM的400V逆变器业务。

  新型逆变器具有两种模块,且都可用于乘用BEV:一种250kW模块,适用于乘用车和全轮驱动跨界多功能车;另一种为350kW模块,适用于OEM的高性能车辆。该全新逆变器计划于2025年开始量产,峰值产量约为400,000台。

  博格华纳动力驱动系统总裁兼总经理Stefan Demmerle博士表示:“作为目前为这家汽车制造商提供400伏逆变器的供应商,我们的团队也参与了800伏项目。该汽车制造商正迈向其BEV战略的下一阶段,而此次业务扩展将巩固博格华纳作为该长期客户的战略逆变器供应商的地位。”

  博格华纳方面还透露,到2025年新型逆变器投入生产时,该公司有望实现约43亿美元的电动汽车收入。博格换还预计其2023年电动汽车收入将从15亿美元增长到18亿美元,远高于2022年电动汽车零部件的8.7亿美元。即博格华纳销售额将同比增长7%至12%。

  此前,博格华纳还称将为一家主要德国汽车制造商在欧洲和美国市场提供创新电池冷却板,以用于该制造商的下一代电动汽车。

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  (SiC) 是一项创新技术,将在许多应用中取代硅 (Si)。将 SiC 用于

  (EV) 的想法诞生于努力提高此类车辆的效率和续航能力,同时降低整车的重量和成本,来提升控制电子设备的功率密度。

  ,充电功率最高187kW,10分钟即可补充近200km的续航能力,电量从30%充到80%仅需15分钟。 图片来源于小鹏

  上加速普及。   近几年能够正常的看到国内多家厂商,包括整车厂、功率器件厂商等都在陆续推出车规级

  肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度

  工作环境下,依然体现优异的电气特性,其高温工作特性,大幅度的提升了高温稳定性,也大幅度提升电气设备的整体效率。产品可大范围的应用于太阳能

  二极管现货选型相比于Si半导体材料,SiC半导体材料具备禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点,SiC

  等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。关断波形图(650

  的火热发展,充电桩和车载充电器的方案慢慢的变成了市场的热点。 此类应用中,其输入电压大都是三相交流输入,经过三相PFC后,直流母线V

  最低输入电压支持来自牵引电机的可再生制动的功能安全测试。该参考设计实现了一款

  PN结器件优越的指标是正向导通电压低,具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点,一是反向耐压VR较低,一般只有100

  和电容器)的尺寸、重量和成本也可随之降低。在极端情况下,整个冷却系统本身效率也能够更好的降低,还可以节省更多的成本。特别是在

  的反向击穿电压。在3kV以上的整流器应用领域,由于SiC PiN二极管与Si器件相比具有更快

  肖特基二极管能拥有较短恢复时间实践,同时在正向电压也减少,耐压也大大超过200

  上,对介电常数要求严格,虽然有低温共烧陶瓷,仍旧没办法满足他们的要求,需要一种性能更好的升级产品,建议可以使用富力天晟的

  的颜色,纯净者无色透明,含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝,浅绿等色,少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射,在紫外光下发黄、橙黄色光,无

  和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于

  MOSFET,这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间,能以更低成本实现 95

  的化学惰性• 高导热率• 低热膨胀这些高强度、较持久耐用的陶瓷广泛用于各类应用,如

  环境中工作的半导体电子设备,如火焰点火器、电阻加热元件以及恶劣环境下的电子元器件。

  MOSFET产品,具有极高的工作效率,性能优越达到国际先进水平,可广泛应用于新能源充电桩、光伏

  ”威雅利电子这件高大上的外衣下,藏着普通消费者担忧的心:续航能力:估计从深圳开到广州有点信心不足,要是堵车呢?安全:还记得

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  在冬季的行驶能耗不断上升,直接导致掉电极快。此前中汽研发布的一组数据显示,当室外温度为-7℃、车内22℃时,

  肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上

  装调实训台1.该实训台围绕新能源车用电机及控制系统定向开发,配套整车电机控制器及

  半导体。另外,很多读者都已经在电器市场上看到了使用了氮化镓半导体的微型 AC转换器。采用宽禁带材料制作的电力半导体,其内部电路在

  模组可用于太阳能发电、风力发电、电焊机、电力机车、远距离输电、服务器、家电、

  、充电桩等用途。创能动力于2015年在国内开发出6英寸SiC制造技术,2017年推出基于6

  硅 IGBT 和二极管与多电平配置等新拓扑相结合,可提供最佳的性价比。混合

  肖特基二极管)对主开关管损耗的影响,并同时检测续流二极管的恢复行为。图

  场效应管(Si MOSFET)以前从未考虑过的应用而变得更具有吸引力。

  MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用,涵盖如通电源,和服务器电源,和快速增长的

  二极管:C5D50065D;单端反激Flyback辅助电源的MOSFET:C2M1000170D方案能广泛应用于新能源

  (silicon carbide,SiC)功率器件作为一种宽禁带器件,具有耐

  解决了封装中的散热问题,解决各行业遇到的各种芯片散热问题,如果你有类似的困惑,欢迎前来探讨,铝

  做封装材料的优势它有高导热,高刚度,高耐磨,低膨胀,低密度,低成本,适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流,谢谢各位!

  封装基板就是很好的选择,因为它有超高的热导率,能及时散去电源系统中的高热量

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  半导体器件,其高频、高效、高温的特性特别适合对效率或温度要求严苛的应用。可广泛应用于太阳能

  上面没有做任何掩膜,就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流

  IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级,并能够监控和保护各种故障情况。图1:

  和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET,栅极驱动器IC

  乃GLM与着名日本半导体和电子元件制造商ROHM Co., Ltd. (“ROHM”)共同研发,自今年2月双方宣布共同研发合作后仅五个月便完成首个原型。项目计划将于未来二十四个月内投入量产。

  SiC(silicon carbide)具有高耐压等级、开关速度快以及耐高温的特点,能显著提高

  (SiC)功率器件,提升了产品性能和可靠性,保持惯有领先地位,更加适合

  领域提供了快速开关和前所未有的效率水平。本文基于PGC Consultancy 进行的分析,解释了 SiC 将如何在从 400V 到

  ,可实现更快的充电、更高的效率和更长的续航里程,已在 McLaren Applied 接近满负荷生产。

  优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant

  行业,并将与另一种宽带隙材料氮化镓一起成为电子产品的核心。在APEC期间,Exawatt 首席执行官 Simon Price 分析了 SiC 及其在电池

  的节能减排成为落实“双碳”的主要抓手之一,因此,“双碳”战略的实施有力推进新能源

  (SiC)具有耐高温、低功耗、刚性,并支持EV电力电子设备所需的更小、更薄的设计。SiC当前应用的示例包括车载DC/DC转换器、非车载直流快速充电器、车载电池充电器、

  功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势,随着特斯拉大规模量产

  对电力电子功率驱动等系统提出了更高的要求,即更轻、更紧凑、更高效、更可靠等,但是传统的硅基功率器件由于材料的限制,其各方面的特性已经逐渐不足以满足

  电路中的三相桥式变流器,将直流电转换为高频的脉宽调制信号,再通过滤波电路将其转换为交流电输出。

  芯片作为模块的核心部件,采用现代半导体技术制造而成,可以实现高功率、高效率、高频率的控制和开关,适用于

  SiC功率模块,可提升5%的续航里程,并改善声学表现。同时,得益于法雷奥与

  电池的直流电转换为多相(通常为三相)交流电以驱动牵引电机,并控制制动产生的能量再生。

  二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点,大范围的使用在高功率、高频率、高温、

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  仅仅是指快充系统么?它到底为何能成为车企技术中的“香饽饽”?400V和

  半导体材料的高载流子迁移率和低导通电阻特性,实现对电能的高效转换。具体